东莞市科立自动化设备 · 专注自动分板机/曲线分板机30年
☎ 400-0769-629 ✉ kelidg@163.com

KL-12 晶圆激光切割机(晶圆划片机)

半导体级 激光切割 无接触 高精度

KL-12晶圆激光切割机是科立自动化推出的半导体精密加工设备。采用激光技术进行无接触切割,保护晶圆完整性,适用于硅晶圆和化合物半导体晶圆的精密切割加工。

立即获取报价与方案

留言获取详细报价 →

KL-12晶圆激光切割机技术参数

设备型号KL-12
设备名称晶圆激光切割机(晶圆划片机)
切割方式激光隐形切割/激光烧蚀切割
激光类型皮秒激光/纳秒激光
激光波长1064nm/532nm/355nm可选
晶圆尺寸4英寸/6英寸(可选8英寸)
切割精度±0.01mm
切割槽宽最小30μm
工作台行程200mm × 200mm
平台精度±0.001mm
显微镜系统高倍光学显微镜(100-1000倍)
CCD视觉定位高分辨率视觉对准系统
切割速度1-50mm/s可调
电源要求AC 220V / 50Hz
设备重量约500kg
设备尺寸1000mm × 800mm × 1500mm

KL-12晶圆激光切割机技术特点

激光无接触切割

采用激光技术进行无接触切割,不会产生机械应力,保护晶圆完整性,特别适合薄晶圆。

超高切割精度

切割精度可达±0.01mm,切割槽宽可小至30μm,满足高精度半导体加工需求。

多种切割模式

支持隐形切割(Stealth Dicing)、烧蚀切割、轮廓切割等多种模式,适配不同材料需求。

高倍显微镜系统

配备高倍光学显微镜系统,可100-1000倍放大观察,确保精确对准切割线路。

自动上下料系统

可选配自动上下料系统,与SEMI标准晶圆盒兼容,实现自动化生产。

KL-12晶圆激光切割机应用场景

硅晶圆切割

IC芯片、MEMS器件等硅晶圆的精密切割

化合物半导体

GaAs、InP等化合物半导体晶圆切割

功率半导体

SiC、GaN等功率半导体晶圆切割

LED芯片

LED外延片、芯片的精密切割加工

常见问题解答

KL-12适合切割硅晶圆、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等半导体材料晶圆。

激光切割是无接触式加工,不会产生机械应力,切割边缘质量好,特别适合薄晶圆和脆性材料。刀片切割会产生碎屑和应力,可能损伤芯片。

KL-12切割精度可达±0.01mm,切割槽宽可小至30μm,满足高精度半导体加工需求。

设备需要恒温恒湿环境,建议温度22±2°C,湿度45±5%RH,同时需要减震平台。

KL-12标准机型可加工4英寸、6英寸晶圆,可选配8英寸晶圆加工能力。

想了解更多半导体加工设备?

我们的销售工程师将为您提供专业的晶圆切割解决方案

400-0769-629