
KL-300 X射线CT检测系统
半导体封装检测设备,X射线透视检测内部缺陷。
KL-12晶圆激光切割机是科立自动化推出的半导体精密加工设备。采用激光技术进行无接触切割,保护晶圆完整性,适用于硅晶圆和化合物半导体晶圆的精密切割加工。
| 设备型号 | KL-12 |
|---|---|
| 设备名称 | 晶圆激光切割机(晶圆划片机) |
| 切割方式 | 激光隐形切割/激光烧蚀切割 |
| 激光类型 | 皮秒激光/纳秒激光 |
| 激光波长 | 1064nm/532nm/355nm可选 |
| 晶圆尺寸 | 4英寸/6英寸(可选8英寸) |
| 切割精度 | ±0.01mm |
| 切割槽宽 | 最小30μm |
| 工作台行程 | 200mm × 200mm |
| 平台精度 | ±0.001mm |
| 显微镜系统 | 高倍光学显微镜(100-1000倍) |
| CCD视觉定位 | 高分辨率视觉对准系统 |
| 切割速度 | 1-50mm/s可调 |
| 电源要求 | AC 220V / 50Hz |
| 设备重量 | 约500kg |
| 设备尺寸 | 1000mm × 800mm × 1500mm |
采用激光技术进行无接触切割,不会产生机械应力,保护晶圆完整性,特别适合薄晶圆。
切割精度可达±0.01mm,切割槽宽可小至30μm,满足高精度半导体加工需求。
支持隐形切割(Stealth Dicing)、烧蚀切割、轮廓切割等多种模式,适配不同材料需求。
配备高倍光学显微镜系统,可100-1000倍放大观察,确保精确对准切割线路。
可选配自动上下料系统,与SEMI标准晶圆盒兼容,实现自动化生产。
IC芯片、MEMS器件等硅晶圆的精密切割
GaAs、InP等化合物半导体晶圆切割
SiC、GaN等功率半导体晶圆切割
LED外延片、芯片的精密切割加工
KL-12适合切割硅晶圆、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等半导体材料晶圆。
激光切割是无接触式加工,不会产生机械应力,切割边缘质量好,特别适合薄晶圆和脆性材料。刀片切割会产生碎屑和应力,可能损伤芯片。
KL-12切割精度可达±0.01mm,切割槽宽可小至30μm,满足高精度半导体加工需求。
设备需要恒温恒湿环境,建议温度22±2°C,湿度45±5%RH,同时需要减震平台。
KL-12标准机型可加工4英寸、6英寸晶圆,可选配8英寸晶圆加工能力。
我们的销售工程师将为您提供专业的晶圆切割解决方案